先導中心即將推出的1200V SiC MOSFET產品SA1M12000020型號,采用自對準短溝道工藝,大幅度降低了器件...
日前,陜西半導體先導技術中心所申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設...
11月18日上午,陜西半導體先導技術中心有限公司中試線通電儀式在西安半導體產業園舉行。通電儀式由公司...
按照《中國共產黨章程》、《中國共產黨基層組織選舉工作條例》規定,中共陜西半導體先導技術中心有限公...
隨著公司寬禁帶半導體業務的逐漸開展,為進一步提升全體員工的業務水平,11月10日下午,陜西半導體先導...
11月3日上午,西安市科技局局長李志軍、市科技局成果轉化與校地合作處處長解中、市科技局計劃財務處副處...
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